Memoria NAND 3D Micron e Intel

NAND 3DLa memoria Flash NAND 3D presentata da Micron e Intel ha una capacità che supera tre volte quella delle altre tecnologie NAND.

Micron Tecnology e Intel Corporation hanno dato vita a una memoria flash d0avanguardia con la maggiore densità al mondo.

Si chiama NAND 3D e ha una capacità tre volte superiore rispetto ai concorrenti NAND (fino a 48 GB di NAND per die) grazie alla sue celle di archiviazione dei dati posizionati in verticale. Questa nuova tecnologia permette di rendere disponibile più storage in uno spazio minore ed è compatibile per una vasta gamma di dispositivi portatili e per tutte le tipologie di installazioni aziendali, anche le più complesse. NAND 3D ha inoltre consumi più bassi a fronte di prestazioni maggiori, ottenendo così un risparmio non indifferente sui costi per GB.

Tra gli elementi più innovativi del sistema c’è la cella di memoria di base floating gate , dotata di un design altamente funzionale.

Altre caratteristiche sono l’ampia larghezza di banda in lettura/scrittura, la velocità, la resistenza, l’integrazione dei sistemi semplificata e l’ecososenibilità, grazie alle modalità sleep a risparmio energetico.

Secondo quanto afferma Brian Shirley, Vice President of Memory Technology and Solutions di Micron Technology, “la collaborazione tra Micron e Intel ha portato allo sviluppo di una tecnologia di storage allo stato solido all’avanguardia nel settore, che offre livelli di densità, prestazioni ed efficienza senza paragoni rispetto a qualsiasi altra tecnologia flash oggi disponibile”.

“Questa tecnologia NAND 3D ha le potenzialità per segnare una svolta fondamentale nel mercato” prosegie il Vice Presidente.

“La profondità dell’impatto che ha avuto finora la tecnologia flash, dagli smartphone ai supercomputer appositamente ottimizzati, ha solo scalfito la superficie delle attuali possibilità“ conclude Shirley.